出重手封殺中國半導體發展，看懂美晶片禁令衝擊

美國商務部 7 日宣布一系列晶片出口管制措施，主要限制中方取得先進運算晶片、發展超級電腦及製造先進半導體的能力，可說是幾近全面封殺中國半導體發展。

不過，相關規定也禁止台積電等第三國企業，在某些情況下若未獲美方批准，不得以美製設備為中國客戶服務。而據市調機構 TrendForce 表示，本次禁令擴大其限制範圍，未來針對美系廠商，包含應用於資料中心（datacenter）、AI、超級電腦（supercomputer）等 HPC 領域的 CPU、GPU、AI accelerator 等，皆需要經過審核方可出口至中國。除此之外，各晶圓代工廠恐怕將無法再為任何中系 IC 設計公司製造任何上述提及的 HPC 相關領域晶片。

TrendForce 認為，無論中系或美系 IC 公司，目前 HPC 相關晶片多半委由台積電進行製造，製程主流為 7nm、5nm 或部分 12nm。未來不論是美系廠無法再出口至中國市場，或是中系廠無法進行開案、量產投片，都為台積電 7nm、5nm 製程未來的訂單狀況帶來負面影響。

至於在記憶體方面，根據美國商務所公布的新規範，在 DRAM 部分將限制在 18nm 製程(含)以下設備需要商務部審查後方能進口，此舉將會大幅限制或遞延中國 DRAM 未來持續發展，中國記憶體廠更是首當其衝。

TrendForce 指出，長鑫存儲（CXMT）坐擁中國境內最大中系記憶體市占，自 2Q22 起，該公司致力於 19nm 製程跨入 17nm 製程。雖然該禁令發布前已加速購買未來所需機台，但數量上仍顯不足；加上 CXMT 仍持續興建新廠房，其中含合肥 Phase2 以及與 SMIC 商談中的 SMBC（中芯京城），後續都會面臨設備取得的難題。

另外受到限制令影響的還有 SK hynix 位於無錫的 DRAM 生產基地 C2 廠。該廠占全世界總 DRAM 產能約 13%，其製程轉進已演進到 1Ynm 及更先進製程，意即後續的持續新增投產所需設備都要有個案許可證。

而在 NAND Flash 部分，TrendForce 表示，未來進口中國的 NAND Flash 生產設備將受更一步限制，尤其針對 128 層（含以上）設備要求事先核准才准進入，預估該法案將大幅衝擊中國長江儲存（YMTC）長期廠區升級計畫，並限制 YMTC 進一步擴大客戶版圖，因禁令有可能使非中國客戶對於 YMTC 產品使用與意願大幅限縮。其餘受影響的還包含三星（Samsung）西安廠、Solidigm 在大連的製程轉進規劃。

美國對中國的祭出新的晶片禁令，而為了避免為半導體產業產生太大衝擊，美國近日也陸續豁免數家半導體業者（包含美、日、韓）。

綜合外媒報導，英特爾（Intel）、SK海力士（SK Hynix）和三星皆獲得一年的豁免權。SK 海力士更發布聲明稱，該公司完成與美國商務部的協商，已獲得批准，對在中國製造工廠提供開發和生產 DRAM 半導體所需的設備和物品，無需額外的許可要求，授權期限為一年。

另外，日經亞洲新聞今日也引述消息人士說法，指出台積電也獲得一年豁免，可繼續訂購美國晶片製造設備擴產中國廠；據知情人士指出，美國政府保證台積電能將設備運到南京晶圓廠，代表中國發展計畫不變，且進展順利。

總之，美國此次頒布的新禁令可說是重擊中國半導體發展。華府智庫戰略與國際研究中心（CSIS）技術和網路安全專家 Jim Lewis 指出，拜登政府的新措施將使中國半導體產業倒退多年；雖然中國不會因而放棄晶片製造，但會減緩他們發展速度。

（首圖來源：shutterstock）